Hệ thống Reflectometry và Ellipsometry FilmTek 2000 PAR-SE

Mô tả

Phản xạ UV sâu đa góc và phép đo ellipsometry phân tích chính xác đặc tính của màng mỏng và nhiều lớp.

Kết hợp công nghệ Phân cực kế vi sai đa góc (Multi-Angle Differential Polarimetry – MADP) đã được cấp bằng sáng chế và công nghệ Mật độ phổ công suất vi sai (Differential Power Spectral Density – DPSD), FilmTek™ 2000 PAR-SE với sự kết hợp Reflectometry và Ellipsometry sử dụng phương pháp thu thập dữ liệu đa góc và đa chế độ để đo độc lập độ dày màng và chiết suất.

Bằng việc đo độc lập chiết suất và độ dày, FilmTek 2000 PAR-SE trở nên nhạy hơn nhiều với sự thay đổi của màng, đặc biệt là các màng trong cấu trúc nhiều lớp, so với các thiết bị đo hiện có dựa trên kỹ thuật elip kế hoặc phản xạ kế thông thường.

FilmTek 2000 PAR-SE là một hệ thống tích hợp hoàn chỉnh, đi kèm phần mềm mô hình hóa vật liệu tiên tiến, giúp các phép đo phức tạp nhất trên wafer có hoa văn trở nên đáng tin cậy và dễ thực hiện.

Khả năng tương thích mẫu và mô hình hóa vật liệu

Mang lại tốc độ và độ chính xác hàng đầu trong ngành cho hầu hết mọi ứng dụng đo màng mỏng tiên tiến.

Thiết kế hệ thống FilmTek kết hợp công nghệ reflectometry và ellipsometry.

Đáp ứng các yêu cầu đo lường vượt xa nhu cầu của các ứng dụng chính thống và khả năng của thiết bị đo lường tiêu chuẩn.

Phần mềm và phần cứng

Mang lại tính linh hoạt vượt trội để tùy chỉnh thêm nhằm đáp ứng các yêu cầu đo lường phi tiêu chuẩn.

Khả năng đo lường

• Độ dày nhiều lớp
• Chỉ số khúc xạ [ n(λ) ]
• Hệ số hấp thụ (hấp thụ) [ k(λ) ]
• Khoảng cách dải năng lượng [ Eg ]
• Thành phần (ví dụ: %Ge trong SiGex, %Ga trong GaxInAs, %Al trong AlGaAs, v.v.)
• Độ nhám bề mặt
• Thành phần, tỷ lệ rỗng
• Độ kết tinh/Vô định hình (ví dụ: màng Poly-Si hoặc GeSbTe)
• Độ dốc màng

Thành phần hệ thống reflectometry và ellipsometry FilmTek 2000M

Tiêu chuẩn:

• Phép đo ellipsometry với thiết kế bù xoay (295 nm – 1700 nm)
• Quang phổ reflectometry phân cực đa góc (190 nm – 1700 nm)
• Đo độ dày màng và chiết suất độc lập
• Công nghệ Phân cực vi sai đa góc (MADP) với công nghệ Mật độ phổ công suất vi sai (DPSD) được cấp bằng sáng chế của SCI
• Lý tưởng để đo màng siêu mỏng (độ lặp lại 0,03 Å trên oxit tự nhiên)
• Camera để chụp ảnh vị trí đo lường
• Nhận dạng hoa văn
• Kích thước điểm 50 micron
• Phần mềm mô hình hóa vật liệu tiên tiến
• Mô hình vật liệu tổng quát của Bruker với các thuật toán tối ưu hóa toàn cục tiên tiến

Tùy chọn:

• Phép đo ellipsometry tổng quát (phương pháp tổng quát ma trận 4×4) cho các phép đo dị hướng (nx, ny, nz)
• Xử lý wafer tự động (vận chuyển wafer tự động)
• Tương thích FOUP và SMIF
• Nhận dạng mẫu (Cognex)
• SECS/GEM

Các lĩnh vực ứng dụng điển hình

Hầu như tất cả các màng phim trong mờ có độ dày từ dưới 1 Å đến khoảng 150 µm đều có thể được đo với độ chính xác cao. Các lĩnh vực ứng dụng điển hình bao gồm:

Màng mỏng đa lớp

Thu thập các phép đo sản xuất chính xác, tỉ mỉ của màng mỏng và nhiều lớp trên các tấm wafer thiết bị có hoa văn cho quá trình sản xuất trước và sau.

Công nghệ đa góc và đa phương thức tiên tiến của Filmtek cho phép kiểm soát thành phần trực tuyến (ví dụ: %Ge trong SiGex) cho màng mỏng, giám sát quy trình Oxit / Nitride / Cu, CMP và đo độ dày oxit kim loại mỏng (SnO2, CuO, InO2) với độ lặp lại dưới Angstrom để ngăn ngừa các lỗi hở không ướt trong quá trình liên kết.

Công nghệ MEMS

Thực hiện các phép đo độ dày màng và chiết suất hoàn toàn tự động của màng oxit, nitrua, oxit/nitrua, ONO, cacbon vô định hình, màng cản quang và màng oxit/polysilicon/oxit trên các tấm wafer có hoa văn.

Các công cụ đo elip và phản xạ FilmTek hoàn toàn tự động có tính năng xử lý wafer từ cassette đến cassette, kích thước điểm 50µm, nhận dạng hoa văn và SECS/GEM với sự kết hợp tốt nhất giữa hiệu suất và giá cả.

Vật liệu Mới

Đặc trưng hóa vật liệu mới với nhiều khả năng đo lường Nghiên cứu & Phát triển nhanh chóng, chính xác và đáng tin cậy.

Các công cụ đo lường để bàn FilmTek với chức năng lập bản đồ wafer tự động cho phép đo độ dày nhiều lớp, chỉ số khúc xạ [n(λ)], hệ số tiêu quang (hấp thụ) [k(λ)], khoảng cách dải năng lượng [Eg], thành phần (ví dụ: %Ge trong SiGe, %Ga trong GaInAs, %Al trong AlGa1As, v.v.), độ nhám bề mặt, thành phần/phần rỗng, độ kết tinh/vô định hình (ví dụ: độ kết tinh của màng Poly-Si hoặc GeSbTe) và độ dốc màng.

Vật liệu chưa biết/Phức tạp

Xác định độ dày (t), chiết suất (n) và hệ số tiêu quang (k) một cách độc lập và rõ ràng cho các vật liệu chưa biết.

Hệ thống đo phản xạ đa góc kết hợp với thiết kế bù xoay của FilmTek mang lại hiệu suất chưa từng có với khả năng lập bản đồ tự động thông lượng cao cho các mẫu có hoa văn và không có hoa văn, độ lặp lại 0,03 Angström cho màng mỏng, phạm vi độ dày mở rộng từ nền trần đến 50µm, và độ chính xác dưới Angström cho các cấu trúc màng mỏng phức tạp, nhiều lớp.

Hãy liên hệ với chúng tôi ngay để biết thêm thông tin chi tiết.