Mô tả ngắn

Hãng sản xuất: Bruker

Phản xạ kế FilmTek 4000 của Bruker là thiết bị đo đa góc độ phân giải cao, chuyên dùng xác định chiết suất và độ dày màng mỏng cho các ứng dụng quang tử silicon và ống dẫn sóng. Máy kết hợp kỹ thuật phản xạ đa góc với công nghệ phân tích mật độ phổ vi sai (DPSD) đã được cấp bằng sáng chế, cho độ chính xác chiết suất tới 2×10⁻⁵ và có tùy chọn ellipsometry để đo màng rất mỏng.

HỖ TRỢ NHANH

THÔNG TIN SẢN PHẨM

Mô tả

Phản xạ kế được thiết kế phản xạ đa góc với tạo bản đồ wafer tự động cho các ứng dụng quang tử silicon và ống dẫn sóng phẳng

Thiết bị phản xạ kế FilmTek™ 4000 được tối ưu hóa cho việc đo chiết suất với độ phân giải cao, đáp ứng yêu cầu trong các ứng dụng quang tử silicon và ống dẫn sóng. Sử dụng kỹ thuật phản xạ đa góc (multi-angle reflectometry) kết hợp với công nghệ phân tích mật độ phổ vi sai (Differential Power Spectral Density) đã được cấp bằng sáng chế, FilmTek 4000 mang lại độ chính xác vượt trội khi đo chiết suất.

Độ phân giải đo được tối ưu nhờ khả năng đo độc lập độ dày và chiết suất (chế độ TE và TM), với độ phân giải đo chiết suất đạt tới 2×10⁻⁵. Điều này mang lại Phản xạ kế này có hiệu suất cao hơn 100 lần so với phương pháp không tiếp xúc tốt nhất và gấp 10 lần so với hệ thống tiếp xúc kiểu lăng kính tốt nhất. Khi được trang bị tùy chọn đo quang phổ eliipsometry (spectroscopic ellipsometry), thiết bị cũng có thể đo các màng rất mỏng.

Được tối ưu hóa bằng PIC

Đo lường wafer cho phép đạt được độ chính xác và khả năng lặp lại cần thiết để đáp ứng các thông số kỹ thuật trong sản xuất ống dẫn sóng

Hoàn toàn tự động

Đo lường bằng thiết bị PIC cung cấp các phép đo nhanh hơn, đáng tin cậy hơn và có độ không chắc chắn thấp hơn so với các kỹ thuật quang học không phá hủy tương đương.

Toàn bộ wafer

Là phép đo không phá hủy cung cấp độ nhạy rất cao trong việc phát hiện sự không đồng nhất mà không làm giảm tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn

Khả năng đo lường của phản xạ kế

  • Độ dày nhiều lớp từ 0Å đến 250µm (với tùy chọn SE)
  • Tính chất quang học từ 400nm-1700nm
  • Chỉ số khúc xạ TE và TM [ n(λ) ]
  • Hệ số hấp thụ (tắt) [ k(λ) ]
  • Khoảng cách dải năng lượng [ Eg ]
  • Thành phần, phần rỗng
  • Độ kết tinh/Vô định hình (ví dụ: màng Poly-Si, GeSbTe)
  • Độ dốc màng

Thành phần hệ thống phản xạ kế FilmTek 4000

Tiêu chuẩn:

  • Phản xạ quang phổ phân cực đa góc (400nm-1700nm)
  • Xử lý Phổ Công suất Vi sai Đa góc (MADP) được cấp bằng sáng chế
  • Xử lý Mật độ Phổ Công suất Vi sai (DPSD) được cấp bằng sáng chế
  • Đo độ dày màng và chiết suất độc lập
  • Độ phân giải chiết suất 2×10⁻⁵
  • Đo toàn bộ wafer
  • Bàn mẫu tự động với chức năng tự động lấy nét
  • Tự động căn chỉnh chùm tia
  • Camera chụp ảnh vị trí đo lường
  • Phần mềm mô hình hóa vật liệu tiên tiến
  • Mô hình vật liệu tổng quát của Bruker với các thuật toán tối ưu hóa toàn cục tiên tiến

Tùy chọn:

  • Quang phổ ellipsometry với thiết kế bù quay
  • Tấm nóng để mô tả chiết suất và sự giãn nở nhiệt theo hàm của nhiệt độ
  • Xử lý wafer từ băng cassette sang băng cassette
  • Tương thích với FOUP và SMIF
  • Nhận dạng mẫu (Cognex)
  • SECS/GEM

Các lĩnh vực ứng dụng điển hình

Quang tử Silicon

Phản xạ kế ch phép đo độ dày màng và chiết suất với hiệu suất vượt trội gấp 10 lần so với các hệ thống tiếp xúc lăng kính tốt nhất.

Thiết bị phản xạ kế đa góc không tiếp xúc của Filmtek cung cấp các phép đo chính xác với độ phân giải cao và cho phép điều khiển quy trình tự động, trực tuyến cho nhiều ứng dụng ống dẫn sóng phẳng và quang tử silicon (ví dụ: SiON, Si3N4, Ge-SiO2, P-SiO2, BPSG, APOX, HiPOX và các lớp màng SiO2/SiON nhiều lớp).

Silicon Photonics
Silicon Photonics

Hãy liên hệ ngay với chúng tôi để biết thêm thông tin chi tiết.