Mô tả ngắn

Hãng sản xuất: Thermo Fisher Scientific

Hệ thống thăm dò nano Hyperion II hình dung lỗi trong chất bán dẫn của Thermo Scientific cung cấp khả năng thăm dò bóng bán dẫn nhanh, chính xác để xác định đặc tính điện và định vị lỗi nhằm hỗ trợ phát triển công nghệ bán dẫn, kỹ thuật năng suất và cải thiện độ tin cậy của thiết bị. Độ ổn định vô song của Hệ thống Hyperion II cho phép thăm dò nano xuống đến nút công nghệ 5 nm và hơn thế nữa.

HỖ TRỢ NHANH

THÔNG TIN SẢN PHẨM

Mô tả

Hệ thống thăm dò nano Hyperion II hình dung lỗi trong chất bán dẫn

Hệ thống thăm dò nano Hyperion II hình dung lỗi trong chất bán dẫn của Thermo Scientific cung cấp khả năng thăm dò bóng bán dẫn nhanh, chính xác để xác định đặc tính điện và định vị lỗi nhằm hỗ trợ phát triển công nghệ bán dẫn, kỹ thuật năng suất và cải thiện độ tin cậy của thiết bị. Độ ổn định vô song của Hệ thống Hyperion II cho phép thăm dò nano xuống đến nút công nghệ 5 nm và hơn thế nữa.

Công nghệ SPM của Hệ thống Hyperion II cho phép chụp ảnh PicoCurrent, một kỹ thuật để nhanh chóng xác định các điểm ngắn mạch, hở mạch, đường rò rỉ và tiếp xúc điện trở với độ nhạy cao hơn 1.000 lần so với độ tương phản điện áp thụ động. Mô-đun kính hiển vi điện dung quét (SCM) cung cấp khả năng định vị lỗi dựa trên hình ảnh cho các tấm silicon trên chất cách điện (SOI), cũng như hồ sơ tạp chất có độ phân giải cao.

Hệ thống thăm dò nano Hyperion II hình dung lỗi trong chất bán dẫn
Hệ thống thăm dò nano Hyperion II hình dung lỗi trong chất bán dẫn

Khả năng của hệ thống thăm dò nano Hyperion II

  • Giải pháp nanoprobing đã được chứng minh cho công nghệ 5 nm.
  • Có thể cấu hình với bốn, sáu hoặc tám đầu dò để tăng thêm tính linh hoạt và khả năng.
  • Tự động trao đổi đầu tip và phương pháp tiếp cận đầu tip tự động giúp tăng năng suất và dễ sử dụng.

Chế độ đo lường

Các chế độ đo lường tiên tiến của Hệ thống Hyperion II bao gồm:

  • Điện dung-điện áp (CV) có độ phân giải cao, độ nhiễu thấp để nghiên cứu các lớp oxit và bẫy giao diện.
  • Truyền tĩnh mạch xung để xác định các khuyết tật cổng mở và cổng điện trở.
  • Kiểm tra nhiệt độ cao để nghiên cứu độ tin cậy của thiết bị.

Đo điện áp dòng điện (IV)

Việc thăm dò nhiều bóng bán dẫn trong khu vực mục tiêu để xác định vị trí lỗi có thể tốn thời gian. Hệ thống Hyperion II kết hợp hình ảnh PicoCurrent với thăm dò IV để nhanh chóng tìm ra các khuyết tật tiềm ẩn và đo đường cong dòng điện-điện áp, mà không gây ra sự dịch chuyển liên quan đến phép đo.

Đo điện áp điện dung (CV)

CV được sử dụng để nghiên cứu các lớp oxit, bẫy giao diện và mật độ hạt mang điện tích. Hệ thống Hyperion II cung cấp CV có độ phân giải cao với khả năng kiểm soát trở kháng tuyệt vời, rò rỉ thấp và tiếng ồn rất thấp.

Đo IV xung

Pulsed IV được sử dụng để nghiên cứu quá trình tự làm nóng của SOI và điện tích bị giữ lại trong điện môi k cao. Hệ thống Hyperion II cho phép thử nghiệm tốc độ cao các thiết bị có thời gian tăng dưới 2 nano giây.

Hãy liên hệ với chúng tôi để được tư vấn về sản phẩm!

Xác định vị trí lỗi nhanh

Kính hiển vi điện dung quét và hình ảnh PicoCurrent tích hợp (SCM) nhanh chóng xác định các thành phần lỗi để thăm dò cấp độ nano.

Hoạt động hướng dẫn eFast

Hoạt động hướng dẫn bán tự động giúp tăng năng suất, dễ sử dụng và giảm gánh nặng đào tạo.

Không có tương tác ebeam-mẫu

Lực nguyên tử thăm dò hình ảnh và các tính năng của đầu dò, loại bỏ nhu cầu sử dụng hình ảnh SEM và hệ thống chân không.