Hệ thống lắng đọng lớp nguyên tử Kurt J. Lesker ALD-150LE™
Mô tả ngắn
Hãng sản xuất: Kurt J. Lesker
Kurt J. Lesker ALD-150LE™ là hệ thống lắng đọng lớp nguyên tử (Atomic Layer Deposition – ALD) tiên tiến, được thiết kế với buồng phản ứng dòng chảy vuông góc độc đáo và cấu hình mở (open-load), mang đến độ linh hoạt cao cho các phòng thí nghiệm và trung tâm nghiên cứu. Thiết bị hỗ trợ lên tới 13 nguồn tiền chất, bao gồm cả ozone, đáp ứng nhiều quy trình ALD khác nhau từ oxit, nitride đến kim loại quý. ALD-150LE™ được trang bị hệ thống gia nhiệt toàn diện: đế mẫu tới 500 °C, buồng và đường dẫn khí tới 250 °C, van và nguồn tiền chất tới 200 °C, đảm bảo tính ổn định và lặp lại. Với phần mềm điều khiển eKLipse™, người dùng có thể lập trình recipe dễ dàng, kiểm soát chính xác thời gian valve và giám sát toàn bộ quá trình theo thời gian thực. Độ đồng đều màng đạt ±1% cho Al₂O₃, phù hợp cho nhiều loại mẫu từ wafer 150 mm, wafer năng lượng mặt trời 100×100 mm đến bột, hạt và vật liệu xốp có tỉ lệ hình học cao (1:2500). Nhờ thiết kế mô-đun, dễ bảo trì, ALD-150LE™ trở thành giải pháp tối ưu cho R&D và ứng dụng trong bán dẫn, MEMS, năng lượng, quang học và y sinh.
HỖ TRỢ NHANH
THÔNG TIN SẢN PHẨM
- Mô tả
Mô tả
Kurt J. Lesker ALD-150LE™ là hệ thống lắng đọng lớp nguyên tử (Atomic Layer Deposition – ALD) được thiết kế chuyên biệt cho nghiên cứu và phát triển vật liệu tiên tiến. Với buồng phản ứng dòng chảy vuông góc độc đáo, cấu hình open-load linh hoạt và khả năng hỗ trợ tới 13 nguồn tiền chất, thiết bị mang lại lớp phủ siêu mỏng, đồng đều và có độ chính xác nguyên tử. Nhờ phần mềm điều khiển eKLipse™ thông minh cùng thiết kế dễ bảo trì, ALD-150LE™ trở thành giải pháp tối ưu cho các ứng dụng trong bán dẫn, MEMS, năng lượng, quang học và y sinh.
1. Cấu tạo & Thiết kế
- Buồng phản ứng: làm từ thép không gỉ 304L, thiết kế perpendicular flow giúp phân phối khí đồng đều và giảm ô nhiễm chéo.
- Cấu hình open-load: cho phép thao tác mẫu nhanh chóng, dễ vận hành.
- Nguồn tiền chất: hỗ trợ tới 13 precursor sources, bao gồm ozone; linh hoạt cho nhiều quy trình ALD.
- Module cấp tiền chất:
- Flow-through vapor – cho tiền chất lỏng/rắn có áp suất hơi cao.
- Pulse gas delivery – cho tiền chất áp suất thấp hoặc khí độc hại (WF₆, HCl, NH₃, H₂S).
- Gia nhiệt hệ thống:
- Substrate: 500 °C
- Buồng và đường dẫn: 250 °C
- Van và precursor: 200 °C
2. Thông số kỹ thuật chính
- Chế độ hoạt động: Dynamic, Static, Variable Residence Mode™ (VRM™).
- Vật liệu lắng đọng điển hình: Al₂O₃, TiO₂, SiO₂, Ta₂O₅, HfO₂, ZrO₂, ZnO, AZO, HfN, TiN, GaN, Pt, Ru.
- Độ đồng đều: ±1% (thermal Al₂O₃).
- Substrate hỗ trợ: wafer 150 mm, wafer Si 100×100 mm, bột, hạt, vật liệu xốp (aspect ratio tới 1:2500).
- Điều khiển: phần mềm eKLipse™ (LabView-based), Windows 10, hỗ trợ valve timing chính xác.
- Kích thước hệ thống: 862 × 1002.7 × 1063 mm.
- Điện năng: 208–240 VAC, 50/60 Hz, 1 pha.
- Bơm hút: >14 CFM chemical series.
- Chuẩn sạch: Class 100.
3. Tính năng nổi bật
- Thiết kế open-load reactor đơn giản, dễ vận hành và bảo trì.
- Perpendicular flow reactor tối ưu hóa độ đồng đều của màng.
- Hỗ trợ tới 13 nguồn tiền chất, mở rộng nghiên cứu đa vật liệu.
- Độ chính xác cao với công nghệ VRM™ và điều khiển eKLipse™.
- Dễ tích hợp glovebox, hỗ trợ các thí nghiệm đa kỹ thuật.
- Phù hợp môi trường phòng sạch với chứng chỉ CE, FCC, CSA, NRTL (tùy chọn).
4. Ứng dụng
- R&D trong trường đại học, viện nghiên cứu, công nghiệp.
- Bán dẫn & MEMS: lớp điện môi mỏng, lớp bảo vệ.
- Năng lượng: pin lithium, pin mặt trời, siêu tụ điện.
- Quang học & nanophotonics: lớp phủ chống phản xạ, bộ lọc, waveguide.
- Y sinh: lớp phủ chức năng, màng bảo vệ trên implant và cảm biến sinh học.
Với sự kết hợp giữa thiết kế gọn nhẹ, độ chính xác nguyên tử, khả năng mở rộng và phần mềm điều khiển thông minh, Kurt J. Lesker ALD-150LE™ là lựa chọn lý tưởng cho các phòng thí nghiệm R&D và doanh nghiệp công nghệ cao đang tìm kiếm giải pháp ALD hiệu quả, linh hoạt và bền bỉ.
Để tìm hiểu thêm thông tin chi tiết về sản phẩm vui lòng liên hệ chúng tôi để được tư vấn trực tiếp.
