Hệ thống lắng đọng lớp nguyên tử ALD – Kurt J. Lesker ALD-150LX™

Mô tả

Kurt J. Lesker ALD-150LX™ là hệ thống lắng đọng lớp nguyên tử (Atomic Layer Deposition – ALD) tiên tiến, được thiết kế nhằm đáp ứng nhu cầu nghiên cứu và sản xuất công nghệ cao trong các lĩnh vực bán dẫn, MEMS, năng lượng và quang học. Với buồng phản ứng dòng chảy vuông góc độc đáo kết hợp công nghệ Precursor Focusing Technology™ (PFT™), thiết bị mang lại khả năng lắng đọng màng siêu mỏng có độ đồng đều và độ chính xác nguyên tử. Hệ thống hỗ trợ cả thermal ALD và plasma-enhanced ALD (PEALD), linh hoạt xử lý nhiều loại vật liệu từ oxit, nitride đến kim loại quý.

Cấu hình mô-đun, dễ nâng cấp cùng phần mềm điều khiển eKLipse™ giúp tối ưu hóa vận hành và kiểm soát toàn bộ quá trình. Nhờ tính năng vượt trội và khả năng tích hợp đa công nghệ, ALD-150LX™ trở thành giải pháp lý tưởng cho các phòng thí nghiệm, trung tâm R&D và doanh nghiệp sản xuất vật liệu tiên tiến.

1. Cấu tạo và thiết bị

• Buồng phản ứng: làm từ thép không gỉ 304L, thiết kế dòng chảy vuông góc độc đáo (perpendicular flow reactor) nhằm tối ưu hóa phân bố khí và độ đồng đều màng.
• Công nghệ PFT™ (Precursor Focusing Technology): tăng hiệu quả phản ứng, giảm tiêu hao khí và nâng cao độ tinh khiết của màng.
• Cấu hình linh hoạt: hỗ trợ thermal ALD hoặc PEALD với nguồn plasma ICP từ xa, lên đến 6 đường plasma độc lập.
• Hệ thống cấp tiền chất: nhiều module tùy chọn (Vapor Draw, Flow-through Vapor, Pulse Gas Delivery), phù hợp với tiền chất lỏng, rắn và khí độc hại.
• Gia nhiệt:
  • Nền: tối đa 500 °C
  • Buồng phản ứng & đường dẫn: 250 °C
  • Van & nguồn tiền chất: 200 °C
• Thiết kế sạch & dễ bảo trì, có cổng phân tích 70° cho in-situ ellipsometry.

2. Thông số kỹ thuật chính

• Chế độ hoạt động: Dynamic, Static, Variable Residence Mode™ (VRM™).
• Tiền chất: tối đa 15 nguồn với 4 ngõ vào độc lập (5 ngõ khi chọn plasma).
• Kích thước nền:
  • Wafer tới 150 mm
  • Wafer Si 100×100 mm cho năng lượng mặt trời
  • Bột, hạt, vật liệu xốp và cấu trúc khía cạnh cao (aspect ratio tới 1:2500).
• Vật liệu điển hình: Al₂O₃, TiO₂, SiO₂, Ta₂O₅, HfO₂, ZrO₂, ZnO, AZO, AlN, TiN, GaN, Pt, Ru…
• Độ đồng đều: ±1% (thermal & plasma Al₂O₃).
• Điều khiển: phần mềm eKLipse™ (LabView) trên nền Windows 10, hỗ trợ valve timing độ phân giải cao.
• Kích thước hệ thống: 929.9 (W) × 1420.2 (D) × 2020.9 mm (H).
• Điện năng: 208 VAC/60 Hz hoặc 380-415 VAC/50 Hz, 3 pha.
• Chuẩn phòng sạch: Class 100.

3. Tính năng nổi bật

• Công nghệ PFT™ và VRM™ giúp tối ưu độ đồng đều, tăng hiệu quả lắng đọng.
• Plasma ICP hiệu suất cao, hỗ trợ nhiều loại khí hoạt hóa.
• Tùy chọn load lock/cassette loader, tăng thông lượng và giảm nhiễm bẩn.
• Khả năng tích hợp multi-technique tool: glovebox, cluster tool với các module sputter, e-beam, chuẩn bị mẫu.
• In-situ monitoring với cổng phân tích cho ellipsometry, hỗ trợ kiểm soát quá trình theo thời gian thực.

4. Ứng dụng

Hệ thống ALD150-LX được ứng dụng rộng rãi trong:

• Nghiên cứu & phát triển vật liệu mới (oxide, nitride, kim loại).
• Bán dẫn & MEMS: lớp điện môi siêu mỏng, màng barrier, lớp phủ conformal.
• Năng lượng & lưu trữ: pin lithium, pin mặt trời thin-film, siêu tụ điện.
• Quang học & nanophotonics: lớp phủ chống phản xạ, bộ lọc, waveguide.
• Y sinh & vật liệu nano: màng bảo vệ, màng chức năng trên implant và cảm biến sinh học.

Với độ chính xác nguyên tử, linh hoạt trong cấu hình và phần mềm điều khiển mạnh mẽ, Kurt J. Lesker ALD-150LX™ là một trong những hệ thống ALD hàng đầu cho cả nghiên cứu tiên tiến và ứng dụng công nghiệp.

Để tìm hiểu thêm thông tin chi tiết về sản phẩm vui lòng liên hệ chúng tôi để được tư vấn trực tiếp.